台积电CEO称3nm工艺量产正按计划推进 第二代1年后量产

【TechWeb】7 月 15 日消息，据国外媒体报道，三星电子 6 月 30 日在官网宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的 3nm 制程工艺，已在当日开始初步生产芯片。

而在三星电子的 3nm 制程工艺开始初步生产芯片之后，台积电 3nm 制程工艺的量产进展，也就备受关注，台积电的 CEO 魏哲家，在周四下午的财报分析师电话会议上，也给出了回应。

台积电公布的文件显示，在周四下午的财报分析师电话会议上，魏哲家透露他们在按计划推进 3nm 工艺在下半年以可观的良品率量产。

另外，魏哲家在会上还表示，他们预计 3nm 制程工艺在明年上半年就会为他们带来营收，在高性能计算和智能手机应用的推动下，产能在明年将平稳提升。

同此前已量产的 7nm 和 5nm 一样，台积电的 3nm 工艺也会有第二代（N3E）。魏哲家在财报分析师电话会议上也透露，他们的 N3E 工艺，将进一步扩展他们的 3nm 工艺家族，性能、功耗和良品率将进一步提升，计划在 3nm 工艺量产一年后量产。

在 3nm 制程工艺上，台积电和三星电子是不同的路线。三星电子的 3nm 制程工艺，率先采用全环绕栅极晶体管架构，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。